一种薄膜场效应晶体管、移位寄存器、显示面板及装置

摘要

本实用新型提供了一种薄膜场效应晶体管、移位寄存器、显示面板及装置，所述TFT包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极分别呈梳状且相互交叉排列，与所述栅极形成多个并联的子TFT，还包括：与所述栅极同层设置且互相绝缘的辅栅极；其中，相互交叉排列的源极和漏极与所述辅栅极的投影区域相互交叠，与所述辅栅极形成至少一个子TFT。本实用新型通过对TFT增加一个辅栅极，将多个并联的子TFT的栅极与辅栅极分开，可调整所述辅栅极的通断电或通电所加电压来控制所述TFT的Ion，实现了Ion的灵活调整，从而保证GOA的正常工作，提高了产品良率，不仅较易实现，而且成本较低。

主权项

一种薄膜场效应晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极分别呈梳状且相互交叉排列，与所述栅极形成多个并联的子薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管还包括：与所述栅极同层设置且互相绝缘的辅栅极；其中， 相互交叉排列的源极和漏极与所述辅栅极的投影区域相互交叠，与所述辅栅极形成至少一个子薄膜场效应晶体管。