| 发明名称 | 光电池及用于该光电池的多孔质半导体膜形成用涂料 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供电子的生成能力良好的同时电子的复合被抑制的具有高光电转换效率的光电池及其制造方法，光电池中，多孔质金属氧化物半导体膜包含由氧化钛形成的基体粒子和被覆该基体粒子表面的氧化钛微粒层构成的氧化钛粒子。 | ||
| 申请公布号 | CN101669249B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN200880013570.7 | 申请日期 | 2008.04.15 |
| 申请人 | 日挥触媒化成株式会社 | 发明人 | 水野隆喜;小柳嗣雄;田中敦 |
| 分类号 | H01M14/00(2006.01)I;C09D11/02(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01M14/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 范征;胡烨 |
| 主权项 | 一种光电池，所述光电池是表面具有电极层A（1）且所述电极层A（1）表面形成吸附有光敏化材料的多孔质金属氧化物半导体膜(2)而成的第一基板(5)与表面具有电极层B（3）的第二基板(6)以所述电极层A（1）及电极层B（3）相向的方式配置，在多孔质金属氧化物半导体膜(2)和电极层B（3）之间设置电解质层而成的光电池，其特征在于，多孔质金属氧化物半导体膜(2)包含由基体粒子和氧化钛微粒层构成的氧化钛粒子，所述基体粒子由氧化钛形成，所述氧化钛微粒层被覆所述基体粒子表面，在所述电极层A（1）和多孔质金属氧化物半导体膜(2)之间设置氧化钛薄膜(7),所述氧化钛薄膜（7）来源于过钛酸的氧化钛薄膜，所述氧化钛薄膜(7)的膜厚在10～70nm的范围内，细孔容积在0.01～0.20ml/g的范围内，平均细孔径在0.5～5.0nm的范围内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||