半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶片半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成具有氧化层-氮化层-氧化层叠层结构的侧壁层；对晶片表面进行氢氟酸处理。采用本发明的方法能够大大减少侧壁层形成之后晶片表面的氧化物杂质缺陷。

主权项

一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶片半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成具有氧化层‑氮化层‑氧化层叠层结构的侧壁层；对晶片表面进行检测，在检测到氧化物杂质缺陷时，对晶片表面进行氢氟酸处理去除所述氧化物杂质缺陷；所述形成具有氧化层‑氮化层‑氧化层叠层结构的侧壁层的方法包括：在栅极结构的多晶硅层表面，以及半导体衬底表面依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层；干法刻蚀第一氧化层、氮化层和第二氧化层，保留第一氧化层、氮化层和第二氧化层侧壁上的厚度，以及保留水平面上的第二氧化层；湿法刻蚀水平面上的剩余第二氧化层至预定厚度。