| 发明名称 | 用于发射紫外光的发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103247730A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201310034044.1 | 申请日期 | 2013.01.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄省元;高建宇;沈成铉;金定燮;郑薰在;孙哲守 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种紫外发光二极管，包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||