| 发明名称 | 刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀停止层，所述刻蚀停止层至少包括第一刻蚀停止层，以及位于所述第一刻蚀停止层之上的第二刻蚀停止层；且所述第二刻蚀停止层的氮含量要高于所述第一刻蚀停止层。本发明还对应公开了一种该刻蚀停止层的形成方法、应用该刻蚀停止层的具有通孔的半导体器件及其形成方法。采用本发明的刻蚀停止层，可以有效防止与刻蚀停止层相连的前一材料层被氮化，达到了降低电路电阻值的目的，改善了电路的形成质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101459058B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN200710094544.9 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 黄立恒;路志忠 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 董立闽;李丽 |
| 主权项 | 1.一种刻蚀停止层，其特征在于：所述刻蚀停止层至少包括与前一材料层相接触的第一刻蚀停止层，以及位于所述第一刻蚀停止层之上的第二刻蚀停止层；且所述第二刻蚀停止层的氮含量要高于所述第一刻蚀停止层；所述第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层为氮化钛层，所述第一刻蚀停止层中的氮含量低于钛含量，所述第一刻蚀停止层的厚度在10至<img file="FDA00002997801800011.GIF" wi="104" he="53" />之间，所述第二刻蚀停止层的厚度在400至<img file="FDA00002997801800012.GIF" wi="132" he="58" />之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||