发明名称 |
用于半导体反应室的进气装置 |
摘要 |
本实用新型提供一种用于半导体反应室的进气装置,该进气装置包括进气法兰(1)、固定法兰(2)、MFC(3)、第一密封圈(4)、第二密封圈(5)和气流调节板(6);固定法兰(2)通过第一密封圈(4)与进气法兰(1)气密连接,进气法兰(1)通过第二密封圈(5)与第一腔室(8)和第二腔室(9)气密连接;进气法兰(1)内设有第一进气通道(10)、第二进气通道(11)、横置的U型槽(12)、通孔(13)、导流斜坡(14)、横向进气通道(15)和喷气孔(16),气流调节板(6)嵌入固定法兰(2)的一侧,U型槽(12)的开口朝向调节板(6),U型槽(12)的下沿(18)通过圆弧形的凸缘(17)与导流斜坡(14)连接,凸缘(17)与气流调节板(6)之间形成导流细缝。所述进气装置适用于双层结构的半导体反应室,能够调节工艺气体气流的均匀性,并能够自动控制其流量。 |
申请公布号 |
CN203134753U |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201320082935.X |
申请日期 |
2013.02.22 |
申请人 |
北京七星华创电子股份有限公司 |
发明人 |
魏景峰;兰云峰;刘俊豪 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
用于半导体反应室的进气装置,其特征在于,该进气装置包括进气法兰(1)、固定法兰(2)、MFC(3)、第一密封圈(4)、第二密封圈(5)和气流调节板(6);所述固定法兰(2)通过所述第一密封圈(4)与所述进气法兰(1)气密连接,所述进气法兰(1)通过所述第二密封圈(5)与第一腔室(8)和第二腔室(9)气密连接;所述进气法兰(1)内设有第一进气通道(10)、第二进气通道(11)、横置的U型槽(12)、通孔(13)、导流斜坡(14)、横向进气通道(15)和喷气孔(16),所述MFC(3)通过管路(7)与所述第一进气通道(10)连通,所述第一进气通道(10)与所述U型槽(12)连通,所述气流调节板(6)嵌入所述固定法兰(2)的与所述进气法兰(1)连接的一侧,且与所述固定法兰(2)固接,所述U型槽(12)的开口朝向所述调节板(6),所述U型槽(12)的下沿(18)通过圆弧形的凸缘(17)与所述导流斜坡(14)连接,所述凸缘(17)与所述气流调节板(6)之间形成导流细缝,所述通孔(13)设于所述导流斜坡(14)的下方,所述导流细缝经所述通孔(13)与所述第一腔室(8)连通,所述第二进气通道(11)与所述横向进气通道(15)连通,所述横向进气通道(15)上设有与所述第二腔室(9)连通的多个所述喷气孔(16)。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层 |