邻近于硅化物而结晶的与介电反熔丝串联的P-I-N二极管及其形成方法

摘要

本发明描述一种用于形成具有减小的编程电压的非易失性一次性可编程存储器单元的方法。将相连式p-i-n二极管与介电破裂反熔丝配成对，所述介电破裂反熔丝由具有大于约8的介电常数的高介电常数材料形成。在优选实施例中，通过原子层沉积形成所述高介电常数材料。所述二极管优选地由与硅化物接触而结晶的沉积的低缺陷半导体材料形成。可在晶片衬底上方的经堆叠存储器层级中形成此类单元的单片三维存储器阵列。

主权项

一种半导体装置，其包含：由沉积的半导体材料形成的相连式p‑i‑n二极管，其中所述半导体材料已邻近于硅化物、硅化物‑锗化物、或锗化物层而结晶；及与所述二极管电串联布置的介电破裂反熔丝，所述介电破裂反熔丝包含具有大于8的介电常数的介电材料；其中所述介电破裂反熔丝由一沉积工艺形成，其厚度为50埃或更少，且安置于第一金属性层和第二金属性层之间。