| 发明名称 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提高被设置在多层布线层中的半导体元件的性能。半导体器件包括：第一布线，该第一布线被设置在第一布线层中；第二布线，该第二布线被设置在被堆叠在第一布线层上的第二布线层中；栅电极，该栅电极在第一布线层和第二布线层的堆叠方向中被布置在第一布线和第二布线之间，并且没有与第一布线和第二布线耦合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上；以及半导体层，该半导体层经由栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上，并且与第一布线和第二布线耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN103247683A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201310041425.2 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 砂村润;井上尚也;金子贵昭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一布线，所述第一布线被设置在第一布线层中，第二布线，所述第二布线被设置在第二布线层中，所述第二布线层被堆叠在所述第一布线层上，栅电极，所述栅电极在所述第一布线层和所述第二布线层的堆叠方向中被布置在所述第一布线和所述第二布线之间，并且没有与所述第一布线和所述第二布线耦合，栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜被设置在所述栅电极的侧表面上，以及半导体层，所述半导体层经由所述栅极绝缘膜被设置在所述栅电极的侧表面上，并且与所述第一布线和所述第二布线耦合。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||