功率晶体管组件的制作方法

摘要

本发明公开了一种功率晶体管组件的制作方法，其包含有下列步骤。首先，提供一半导体基底，半导体基底具有一扩散掺杂区设于其中，且扩散掺杂区与半导体基底的表面相接触，其中扩散掺杂区邻近表面的掺杂浓度大于扩散掺杂区远离表面的掺杂浓度。然后，进行一热氧化制程，于半导体基底的表面形成一氧化层，其中与表面相接触的扩散掺杂区的一部分与氧反应为氧化层的一部分。接着，移除氧化层。借此，可解决功率晶体管中超级结结构的电洞浓度与电子浓度分布不均匀的问题。

主权项

一种超级结结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，具有一第一导电类型；于所述半导体基底中形成至少一沟槽；在所述沟槽两侧的所述半导体基底中分别形成两扩散掺杂区，其中各所述扩散掺杂区邻近所述沟槽侧壁的掺杂浓度大于各所述扩散掺杂区远离所述沟槽侧壁的掺杂浓度，且各所述扩散掺杂区具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型；进行一热氧化制程，在所述沟槽的侧壁形成一氧化层，其中与所述沟槽的侧壁相接触的各所述扩散掺杂区的一部分与氧反应为所述氧化层的一部分；以及移除所述氧化层。