成膜装置及成膜方法

摘要

本发明提供一种成膜装置及成膜方法。在从利用旋转台进行公转的晶圆看时的第1处理区域和第2处理区域之间设置分离区域，并在从利用旋转台进行公转的晶圆看时的第2处理区域和第1处理区域之间配置用于利用等离子体产生部进行晶圆上的反应生成物的改性的改性区域。并且，以包围改性区域的周围的方式配置框体的突起部而将第3处理区域的气氛的压力设定为比与该第3处理区域相邻的气氛的压力高的高压。

主权项

一种成膜装置，其通过在真空容器内进行多次按顺序供给相互反应的多种处理气体的循环来在基板上形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转台，其设于上述真空容器内，在该旋转台的一表面侧形成有用于载置基板的基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域公转；第1处理区域和第2处理区域，其在该旋转台的周向上互相分开；第1处理气体供给部和第2处理气体供给部，其用于分别对该第1处理区域和第2处理区域供给要吸附于基板的表面的第1处理气体和用于与吸附于该基板的表面的第1处理气体的成分发生反应而形成反应生成物的第2处理气体；分离区域，其从上述旋转台的旋转方向上游侧看来位于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间；分离气体供给部，其为了使上述处理区域的气氛分离而对该分离区域供给分离气体；改性区域，其从上述旋转台的旋转方向上游侧看来位于上述第2处理区域和上述第1处理区域之间且形成于上述旋转台和与该旋转台的一表面侧相对的顶壁部之间，该改性区域用于利用等离子体对基板上的反应生成物进行改性处理；改性用气体供给部，其用于向上述改性区域供给不与上述第1处理气体和上述第2处理气体发生反应的改性用气体；第1等离子体产生部，其用于将改性用气体等离子体化；以及狭窄空间形成部，为了阻止气体自在上述周向上与上述改性区域的两侧相邻的相邻区域进入到该改性区域，该狭窄空间形成部的端部在上述改性区域和上述相邻区域之间分别形成于 比上述顶壁部和上述相邻区域的顶面低的位置，从而在该狭窄空间形成部与上述旋转台之间形成狭窄的空间，上述改性区域的压力设定为比上述相邻区域的压力高的高压，上述改性区域是作为用于阻止第1处理气体和第2处理气体的混合的分离区域而设置的。