气体喷射以均匀地蚀刻基片

摘要

一种具有提高的关键尺寸均一性的蚀刻半导体基片的方法，包括在电感耦合等离子蚀刻室中基片支撑件上支撑半导体基片；提供第一蚀刻气体该半导体基片之上的中间区域；提供包括至少一种含硅气体的第二气体至该半导体基片之上围绕该中间区域的边缘区域，其中该第二气体中硅浓度大于该第一蚀刻气体中的硅浓度；由该第一蚀刻气体和第二气体生成等离子；以及等离子蚀刻该半导体基片的暴露表面。

主权项

一种具有提高的关键尺寸均一性的蚀刻半导体基片的方法包括：在电感耦合等离子蚀刻室中基片支撑件上支撑半导体基片；提供包括含硅气体的第一蚀刻气体至该半导体基片之上的中间区域；提供包括至少一种含硅气体的第二气体至该半导体基片之上围绕该中间区域的边缘区域，其中该第二气体中硅浓度大于该第一蚀刻气体中的硅浓度；调节施加到该边缘区域的第二气体的量、调节施加到该边缘区域的硅的量和/或调节该第二气体中硅的浓度与该第一蚀刻气体中硅的浓度的比；通过将射频能量电感耦合进该室而由该第一蚀刻气体和第二气体生成等离子；以及利用该等离子，等离子蚀刻该半导体基片的暴露表面；至少一种包含硅的钝化物质钝化蚀刻在该半导体基片中的特征的侧壁；该第一蚀刻气体包括氯，以及该包含硅的钝化物质包括SiCl4。