| 摘要 |
Eine Photovoltaikvorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat (Substrat), das eine Verunreinigungsdiffusionsschicht enthält, eine erste Elektrode, die in einen auf der Verunreinigungsdiffusionsschicht gebildeten Antireflexionfilm eindringt und elektrisch mit der Verunreinigungsdiffusionsschicht verbunden ist, einen Rückflächen-Isolationsfilm, der so gebildet ist, dass er mehrere Öffnungen enthält, die eine andere Oberflächenseite des Substrats erreichen, eine zweite Elektrode, die auf der anderen Oberflächenseite des Substrats gebildet ist, und einen Rückflächen-Reflexionsfilm, der aus einem Metallfilm besteht, der durch ein Dampfphasen-Aufwachsverfahren gebildet ist oder eine Metallfolie enthält, und der ausgebildet ist zum Bedecken von zumindest des Rückflächen-Isolationsfilms, wobei die zweite Elektrode eine auf Aluminium basierende Elektrode enthält, die aus einem Material enthaltend Aluminium besteht und die elektrisch mit der anderen Oberflächenseite des Substrats verbunden ist, indem sie in zumindest die Öffnungen auf der anderen Oberflächenseite des Substrats eingebettet ist, und eine auf Silber basierende Elektrode, die aus einem Silber enthaltenden Material besteht, die in einem Bereich zwischen den Öffnungen auf der anderen Oberflächenseite des Substrats in einem Zustand vorgesehen ist, in welchem die auf Silber basierende Elektrode sich in den Rückflächen-Isolationsfilm in der Weise hinein erstreckt, dass die auf Silber basierende Elektrode von der anderen Oberflächenseite des Substrats durch den Rückflächen-Isolationsfilm isoliert ist, und die elektrisch mit der auf Aluminium basierenden Elektrode über den Rückflächen-Reflexionsfilm verbunden ist. |
