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An der Vorderseite eines Bereichs in einem Siliziumkarbid-Halbleiterelement, in dem eine Sperrschichtabschlußerweiterung ausgebildet ist, ist ein Halbleiterbereich vom n-Typ mit einer Dotierstoffkonzentration vorgesehen, die höher ist als die Dotierstoffkonzentration einer n–-Driftschicht. Der Rand der Sperrschichtabschlußerweiterung wird auf der vom aktiven Bereich abgewandten Seite vom Boden bis zur Vorderseite von einem Halbleiterbereich vom n-Typ abgedeckt. Dadurch ist es möglich, ein Element mit einem niedrigen Widerstand bei hoher Spannungsfestigkeit zu erhalten oder, wenn der Widerstand des Elements verringert wird, ein Element mit einem niedrigen Leistungsverlust zu erhalten.
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