发明名称 一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置
摘要 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置,所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树;所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口;所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连,SNSPD器件的另一端接地;所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为:在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单,不改变器件结构,不需要增加滤波电路或屏蔽,仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力,成本低;不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度;不会形成反射脉冲从而影响器件性能;不影响探测系统的暗计数率及量子效率。
申请公布号 CN103245424A 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201210024730.6 申请日期 2012.02.03
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 尤立星;陈思井;王永良;刘登宽;谢晓明;江绵恒
分类号 G01J11/00(2006.01)I 主分类号 G01J11/00(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法,所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树;所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口;所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连,SNSPD器件的另一端接地;其特征在于,所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为:在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号