发明名称 | 氮化铝单晶的制造装置和制造方法 | ||
摘要 | 本发明的氮化铝单晶的制造装置是通过加热氮化铝原料而使其升华,使氮化铝在晶种上再结晶,从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置,具备:收纳氮化铝原料且由对氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成的生长容器和设置于生长容器的外侧且介由生长容器加热氮化铝原料的发热体;并且,生长容器具备具有收纳氮化铝的收纳部的主体部和将主体部的收纳部密闭的盖体,发热体由含有钨的金属材料构成。 | ||
申请公布号 | CN103249877A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
申请号 | CN201180053805.7 | 申请日期 | 2011.11.09 |
申请人 | 株式会社藤仓;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 镰田弘之;加藤智久;长井一郎;三浦知则 |
分类号 | C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;金世煜 |
主权项 | 一种氮化铝单晶的制造装置,是通过加热氮化铝原料而使其升华,使氮化铝在晶种上再结晶,从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置,具备:生长容器,收纳所述氮化铝原料,由对所述氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成,发热体,设置于所述生长容器的外侧,介由所述生长容器加热所述氮化铝原料,并且,所述生长容器具备具有收纳所述氮化铝的收纳部的主体部,和将所述主体部的所述收纳部密闭的盖体,所述发热体由含有钨的金属材料构成。 | ||
地址 | 日本东京都 |