| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：垂直沟道层；管道沟道层，被配置成连接所述垂直沟道层的下端部；以及管道栅，围绕所述管道沟道层且包括第一区域和剩余的第二区域，所述第一区域与管道沟道层接触并包括第一类型杂质，所述剩余的第二区域包括与所述第一类型杂质不同的第二类型杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN103247631A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201210458176.2 | 申请日期 | 2012.11.14 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李起洪;皮昇浩;孙玄洙 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;郭放 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：垂直沟道层；管道沟道层，所述管道沟道层被配置成连接所述垂直沟道层的下端部；以及管道栅，所述管道栅围绕所述管道沟道层且包括第一区域和剩余的第二区域，所述第一区域与管道沟道层接触并包括第一类型杂质，所述剩余的第二区域包括与所述第一类型杂质不同的第二类型杂质。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||