发明名称 |
晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法 |
摘要 |
一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法,涉及一种晶体材料的生长设备,在炉室(2)内设有坩埚(7),坩埚的下部处于多层套筒内,多层套筒下端处于于支撑环上,支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上,形成坩埚的下部独立空间;在多层套筒外部设有发热体(5);冷却介质降温机构设置在多层套筒内的下部;由冷却介质降温机构获取的坩埚底部低温区形成坩埚的温度梯度;当发热体对坩埚加热时,通入坩埚下部的冷却介质降温机构的冷气便会处于多层套筒内,最大可能的使冷能不外泄;而此时的发热体也受到冷能的影响最小,较好的实现了坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度;由于多层筒套的作用,可确保坩埚极少出现非均匀晶核。 |
申请公布号 |
CN103243378A |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201210028171.6 |
申请日期 |
2012.02.09 |
申请人 |
洛阳金诺机械工程有限公司 |
发明人 |
刘朝轩;王晨光 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构,其特征是:包括炉室(2)、发热体(5)、多层套筒、坩埚(7)和冷却介质降温机构,在炉室(2)内设有坩埚(7),坩埚(7)的下部处于多层套筒内,所述多层套筒下端处于炉室底板或底部保温层(16)上;或多层套筒下端处于支撑环上,所述支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上,在多层套筒外部设有发热体(5);冷却介质降温机构设置在所述多层套筒内的下部;由冷却介质降温机构获取坩埚(7)底部低温区,所述低温区形成坩埚(7)上部温度高下部温度底的温度梯度。 |
地址 |
471009 河南省洛阳市国家高新技术开发区金鑫路2号 |