发明名称 |
通孔形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种通孔形成方法,包括:提供半导体基底,在所述半导体基底上依次形成有金属导线、覆盖所述金属导线及半导体基底的层间介质层、及位于所述层间介质层上的硬掩膜层;在所述硬掩膜层上形成光刻胶层,所述光刻胶层内具有开口图案;以所述光刻胶层为第一掩膜,沿开口图案刻蚀部分厚度的硬掩膜层,形成开口;去除所述光刻胶层之后,以硬掩膜为第二掩膜,沿所述开口,刻蚀残余的硬掩膜层,露出层间介质层的表面;继续刻蚀层间介质层,直至露出金属导线,形成通孔。本发明在去除光刻胶层时,因仍有残余的硬掩模层,层间介质层不会暴露在光刻胶去除环境中,所以其不会被去除环境中的气体所损坏,保护层间介质层,同时提高通孔形成质量。 |
申请公布号 |
CN102222640B |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201010154826.5 |
申请日期 |
2010.04.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
孙武;张海洋;韩宝东 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种通孔形成方法,其特征在于,包括:提供半导体基底,在所述半导体基底上依次形成有金属导线、覆盖所述金属导线及半导体基底的层间介质层、及位于所述层间介质层上的单一膜层的硬掩膜层;在所述硬掩膜层上形成光刻胶层,所述光刻胶层内具有开口图案;以所述光刻胶层为第一掩膜,沿开口图案刻蚀部分厚度的硬掩膜层,形成开口;去除所述光刻胶层之后,以硬掩膜层为第二掩膜,沿所述开口,刻蚀残余的硬掩膜层,露出层间介质层的表面;继续刻蚀层间介质层,直至露出金属导线,形成通孔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |