氮化镓系发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种氮化镓系发光二极管及其制造方法，该发光二极管包含一基板、一设于该基板上的N型半导体层、一设于该N型半导体层上的主动层、一设于该主动层上的P型半导体层、一设于该P型半导体层上的导电层、一设于该导电层上的第一电极及一设于部分暴露的该N型半导体层上的第二电极，本发明的发光二极管于该P型半导体层上并与该第一电极相对应处设置一阻抗反射层或一接触窗，如此使电流可往该阻抗反射层或该接触窗旁边通过，并传导至该主动层产生光，光传导至该导电层辐射出去时，不会受到该第一电极吸收或遮蔽，达到电流有效分布于导电层之功效，因此可增加该发光二极管的发光亮度及发光效率。

主权项

一种氮化镓系发光二极管，其特征在于，其包含：一基板；一N型半导体层，是设置于该基板上；一主动层，是设置于该N型半导体层上，并暴露部分的该N型半导体层；一P型半导体层，是设置于该主动层上；一阻抗反射层，是设置于该P型半导体层上，其材料为包含两种以上的不同折射指数材料的组合；一导电层，是设置于该P型半导体层及该阻抗反射层上；一第一电极，是设置于该导电层上，并与该阻抗反射层相对应；以及一第二电极，是设置于部分暴露的该N型半导体层上；其中，当该第二电极及第一电极通电后，产生一电流，该电流从该阻抗反射层旁边通过，进而该主动层因电流所产生的光，光从该主动层传导上来，使光经由阻抗反射层有效辐射至外部，不被该第一电极遮蔽或吸收，并有效将电流分布于主动层。