一种存储器结构

摘要

一种存储器结构，包括两存储位单元及位于其间的字线，其中：两存储位单元分别具有一浮栅和一控制栅，控制栅有间隔的设置于浮栅上方，浮栅与字线之间设置有隧穿氧化层用以将其隔开；字线与半导体衬底之间设置有栅氧化层用以将二者隔开。该存储器结构中，两个存储位单元共享使用同一个字线，从而可通过对字线，两个控制栅以及源漏极区域施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享字线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积。

主权项

一种存储器结构，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的第一有源区和第二有源区；字线，位于所述半导体衬底上表面、所述第一有源区和第二有源区之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述第一有源区之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述第二有源区之间；其特征在于：所述第一存储位单元具有第一浮栅和第一控制栅，所述第一控制栅具有间隔的设置于所述第一浮栅上方；所述第二存储位单元具有第二浮栅和第二控制栅，所述第二控制栅具有间隔的设置于所述第二浮栅上方；所述字线与所述第一浮栅、第二浮栅之间均设置有隧穿氧化层；所述字线与所述半导体衬底之间设置有栅氧化层；所述字线位于所述第一存储位单元和所述第二存储位单元之间的部分在垂直于所述半导体衬底上表面的方向上的截面为“凹”形，其覆盖所述半导体衬底上表面位于所述第一存储单元和所述第二存储位单元之间的部分以及所述第一存储单元和所述第二存储位单元与其相邻的侧面。