发明名称 TEM样本制备方法
摘要 本发明提供了一种TEM样本制备方法。TEM样本制备方法包括:将薄片样本放置在样本支架上从而该薄片样本的第一侧面与聚焦离子束镜筒相对,其中该第一侧面比该薄片样本的第二侧面离薄片样本内的所期望的观察对象更近;为了形成薄膜部,对于第一侧面的与该薄膜部相邻的区域设置将利用聚焦离子束对其进行蚀刻处理的处理区域,该薄膜部包括观察对象并且具有基本上平行于薄片样本的厚度方向的厚度方向;以及对于薄片样本的从其第一侧面延伸到其前表面的部分通过利用来自聚焦离子束镜筒的聚焦离子束照射处理区域执行蚀刻处理。
申请公布号 CN103245548A 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201310050889.X 申请日期 2013.02.08
申请人 日本株式会社日立高新技术科学 发明人 铃木秀和;中谷郁子
分类号 G01N1/32(2006.01)I 主分类号 G01N1/32(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种TEM样本制备方法,所述TEM样本制备方法包括:将薄片样本放置在样本支架上,使得所述薄片样本的第一侧面与聚焦离子束镜筒相对,其中所述第一侧面比所述薄片样本的第二侧面更靠近所述薄片样本内的所期望的观察对象;为了形成包括所述观察对象并且厚度方向基本上平行于所述薄片样本的厚度方向的薄膜部,对于所述第一侧面的与所述薄膜部相邻的区域设置将利用聚焦离子束进行蚀刻处理的处理区域;以及对于所述薄片样本的从所述第一侧面延伸到其前表面的部分,通过利用来自所述聚焦离子束镜筒的聚焦离子束照射所述处理区域来执行蚀刻处理。
地址 日本东京都