发明名称 一种多层高梯度绝缘子及其制备方法
摘要 本发明公开了一种用于高压脉冲功率源的多层高梯度绝缘子及其制备方法。其中,一种多层高梯度绝缘子,其特征是在绝缘材料制成的绝缘子本体中规律地嵌入薄片导电层,绝缘子除侧面表层一定深度内由绝缘材料层和导电材料层构成,内部由单一的绝缘材料构成。本发明通过在绝缘体侧面嵌入导电层阵列,抑制了绝缘子表面的二次电子发射特性及表面电荷累积,改善了绝缘体的真空沿面闪络特性,提高了绝缘体的表面击穿电压,克服了绝缘材料层与导电材料层力学、热学性能不匹配的问题,并显著降低了多层高梯度绝缘子制备的工艺难度和成本。
申请公布号 CN103247395A 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201310148286.3 申请日期 2013.04.25
申请人 西北核技术研究所 发明人 柯昌凤;刘文元;陈昌华;宋玮;汤俊平;段荔;薛西民
分类号 H01B17/04(2006.01)I;H01B17/50(2006.01)I 主分类号 H01B17/04(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 王少文
主权项 一种多层高梯度绝缘子,包括绝缘材料制成绝缘子本体(1),所述的绝缘子本体(1)包括侧面和上下两个支撑面(3a、3b),其特征在于:所述的绝缘子本体(1)内嵌入了多层薄片导电层(2),所述导电层(2)与支撑面(3a、3b)平行,导电层(2)的外侧和/或内侧与绝缘子本体(1)的侧面平齐,所述导电层(2)的面积小于绝缘子支撑面(3a、3b)面积的1/2。
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