发明名称 钛磷酸盐发光薄膜、其制备方法及电致发光器件
摘要 本发明属于导电薄膜领域,其公开了一种钛磷酸盐发光薄膜、其制备方法及电致发光器件;该导电薄膜的化学通式为MTi4-x-yP6O24:xCe3+,yTb3+;其中,MTi4-x-yP6O24为基质,M选自Ca,Ba或Sr,Ce3+和Tb3+为发光中心离子,x的取值范围为0.01~0.05,y的取值范围为0.01~0.04。该导电薄膜在490nm和510nm处有良好的发光,是一种潜在新起的蓝绿光发光材料。
申请公布号 CN103242846A 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201210030170.5 申请日期 2012.02.10
申请人 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 发明人 周明杰;王平;陈吉星;黄辉
分类号 C09K11/81(2006.01)I;H01L33/26(2010.01)I 主分类号 C09K11/81(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种钛磷酸盐发光薄膜的制备方法,其特征在于,该制备方法的步骤如下:S1、称取MO、TiO2、P2O5、CeO2和Tb4O7粉体,经过均匀混合后,在900~1300℃下烧结处理,制得陶瓷靶材;其中,MO、TiO2、P2O5、CeO2和Tb4O7粉体的摩尔比分别为1∶3.91~3.98∶3∶0.01~0.05∶0.0025~0.01,M选自Ca,Ba或Sr;S2,将步骤S1中制得的陶瓷靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中,并将真空腔体设置成真空状态,该真空态的真空度为1.0×10‑3Pa~1.0×10‑5Pa;S3,调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45~95mm,磁控溅射工作压强0.2~4Pa,氩气工作气体的流量为10~35sccm,衬底温度为250℃~750℃;接着进行制膜,得到薄膜样品;S4,将步骤S3中的薄膜样品置于0.01Pa真空炉中、退火温度为500℃~800℃下退火1~3h,得到化学通式为MTi4‑x‑yP6O24:xCe3+,yTb3+的钛磷酸盐发光薄膜;其中,MTi4‑x‑yP6O24为基质,Ce3+和Tb3+为发光中心离子,x的取值范围为0.01~0.05,y的取值范围为0.01~0.04。
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