LED倒装芯片的N电极连接结构

摘要

本发明创造涉及LED倒装芯片，具体涉及其N电极连接结构。本发明创造的目的是让LED倒装芯片获得较好的发光效果，芯片上N接触层的电流分布均匀，且N接触层制作和焊接方便，为此给出LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。N接触层是蒸镀或溅射而成的。

主权项

LED倒装芯片的N电极连接结构，芯片底面开有至少两个沉坑穿过P型层和有源发光层通至N半导体层，其特征是：沉坑侧壁和芯片底面设有绝缘层；芯片的N接触层包括沉入部和连接部，沉入部进入沉坑内触通N半导体层，连接部覆盖在芯片底面的绝缘层的表面连起分别位于不同沉坑内的各个沉入部。