基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。

主权项

一种基板处理装置，其特征在于：在被供给高频电力的下部电极和与该下部电极相对配置的上部电极之间的处理空间中产生电场，使用利用该电场产生的等离子体对载置于所述下部电极的基板实施等离子体处理，利用对在所述上部电极的与所述处理空间相反一侧的上表面设置的多个电磁铁进行控制而产生的磁场，调整所述处理空间中的等离子体密度的分布。