| 发明名称 | 晶粒总成的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种晶粒总成的制造方法，其包括以下步骤：(a)提供一测试过的上晶圆及至少一下晶圆；(b)切割该至少一下晶圆，以形成数个下晶粒，这些下晶粒包括数个已知合格下晶粒；(c)根据该上晶圆的晶圆地图选取且重新排列这些已知合格下晶粒于一载体上；(d)接合该上晶圆及该载体；(e)移除该载体及(f)进行切割工艺。藉此可确保该晶粒总成的晶粒皆为已知合格晶粒，如此则不会有上晶圆及下晶圆因良率不同所造成的良率损失。 | ||
| 申请公布号 | CN102263039B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201010192749.2 | 申请日期 | 2010.05.24 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 沈启智;陈仁川;张惠珊;洪嘉临;庄英圣 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种晶粒总成的制造方法，包括以下步骤： (a)提供一上晶圆及至少一下晶圆，该上晶圆及该下晶圆为测试过，其中该上晶圆具有数个已知合格上晶粒及数个已知不合格上晶粒； (b)切割该至少一下晶圆，以形成数个下晶粒，这些下晶粒包括数个已知合格下晶粒及数个已知不合格下晶粒； (c)选取这些已知合格下晶粒，且将这些已知合格下晶粒及这些已知不合格下晶粒重新排列于一载体上，使得这些已知合格下晶粒的位置对应这些已知合格上晶粒的位置，且这些已知不合格下晶粒的位置对应这些已知不合格上晶粒的位置； (d)接合该上晶圆及该载体，使得这些已知合格下晶粒电性连接这些已知合格上晶粒； (e)移除该载体；及 (f)进行切割工艺，以形成数个晶粒总成。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||