| 发明名称 | 一种半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构。本实用新型通过将调节层置于两层高k介质层之间，有效避免了调节层直接与金属栅极的直接接触发生反应降低半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN203134802U | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201190000057.1 | 申请日期 | 2011.08.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、栅极堆叠(200)，其特征在于： 所述栅极堆叠(200)形成在所述衬底(100)之上，依次包括：与衬底(100)接触的第一高k介质层(210)、调节层(220)、第二高k介质层(230)、金属栅极(240)； 其中，所述调节层(220)的材料包括Al、Al2O3、La2O3中的一种。 | ||
| 地址 | 100029 中国北京市朝阳区北土城西路3号 | ||