发明名称 |
CMOS场效应管的阈值电压生成电路 |
摘要 |
一种CMOS场效应管阈值电压生成电路,所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3,所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压,所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号,所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。本发明采用简易电路结构实现了CMOS场效应管阈值电压的高精度提取。 |
申请公布号 |
CN103246312A |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201210590543.4 |
申请日期 |
2012.12.31 |
申请人 |
成都锐成芯微科技有限责任公司 |
发明人 |
不公告发明人 |
分类号 |
G05F3/16(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/16(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种CMOS场效应管阈值电压生成电路,其特征在于:所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3,所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压,所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号,所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区益州大道1800号G1栋1705室 |