发明名称 CMOS场效应管的阈值电压生成电路
摘要 一种CMOS场效应管阈值电压生成电路,所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3,所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压,所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号,所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。本发明采用简易电路结构实现了CMOS场效应管阈值电压的高精度提取。
申请公布号 CN103246312A 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201210590543.4 申请日期 2012.12.31
申请人 成都锐成芯微科技有限责任公司 发明人 不公告发明人
分类号 G05F3/16(2006.01)I 主分类号 G05F3/16(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种CMOS场效应管阈值电压生成电路,其特征在于:所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3,所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压,所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号,所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。
地址 610041 四川省成都市高新区益州大道1800号G1栋1705室