发明名称 一种刚挠结合印制电路板通孔钻污的清洗方法
摘要 一种刚挠结合印制电路板通孔钻污的清洗方法,属于印制电路板制造领域。该清洗方法包括1)使用新型去污液实现聚酰亚胺、丙烯酸树脂钻污去除和环氧树脂钻污溶胀;2)使用高锰酸钾去污液氧化裂解溶胀的环氧树脂;3)使用硫酸-草酸钠体系去除高锰酸钾残留液,从而实现低价化学法去除刚挠结合板通孔钻污。其中实现聚酰亚胺、丙烯酸树脂钻污去除和环氧树脂溶胀的去污溶液,每升含氢氧化钠或氢氧化钾20~50g、环氧树脂溶胀剂10~40g、增溶剂1~5g、聚酰亚胺溶胀剂10~60ml,其余为水。本发明实现了低成本的钻污清洗,同时具有方法简单、去污效率高的特点。通过本发明对刚挠结合印制电路板通孔进行清洗,能够得到平整,与孔铜咬合力好的孔壁。
申请公布号 CN102438405B 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201110386278.3 申请日期 2011.11.29
申请人 电子科技大学;铜陵市超远精密电子科技有限公司 发明人 王守绪;何为;周国云;黄志远;陈亨书;张建军
分类号 C11D7/12(2006.01)I;H05K3/26(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I 主分类号 C11D7/12(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 葛启函
主权项 一种刚挠结合印制电路板通孔钻污的清洗方法,包括以下步骤:步骤1:配制两种去污液;其中第一种去污液,每升含氢氧化钠或氢氧化钾20~50g、环氧树脂溶胀剂10~40g、增溶剂1~5g、聚酰亚胺溶胀剂10~60ml,其余为水;第二种去污液,每升含氢氧化钠或氢氧化钾10~50g、高锰酸钾30~60g、次氯酸钠0.1~2g,其余为水;步骤2:聚酰亚胺、丙烯酸树脂钻污去除和环氧树脂钻污溶胀;将钻孔后的刚挠结合印制电路板浸泡于步骤1所配制的第一种去污液中,在30~80℃的温度条件下浸泡3~10分钟,浸泡过程中采用振荡印制电路板或打气的方式提高去污溶液的灌孔能力;步骤3:高锰酸钾氧化裂解溶胀的环氧树脂;将步骤2浸泡后的印制电路板取出并用去离子水冲洗,然后浸泡于步骤1所配制的第二种去污液中,在50~80℃的温度条件下浸泡5~20分钟,浸泡过程中采用振荡印制电路板或打气的方式提高去污溶液的灌孔能力;步骤4:去除高锰酸钾残留液;将步骤3浸泡后的取出并用去离子水冲洗,然后浸泡于硫酸‑草酸钠的混合溶液中,在30~50℃的温度条件下浸泡2~15分钟,浸泡过程中采用振荡印制电路板或打气的方式提高去污溶液的灌孔能力;所述硫酸‑草酸钠的混合溶液,每升含浓硫酸50~200ml草酸钠10~50g,其余为水。
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