I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

主权项

一种I层钒掺杂的PIN型核电池，自上而下依次包括放射性同位素源层（1）、SiO2钝化层（2）、SiO2致密绝缘层（3）、p型欧姆接触电极（4）、p型SiC外延层（5）、n型SiC外延层（6）、n型SiC衬底样片（7）和n型欧姆接触电极（8），其特征在于：p型SiC外延层（5）的掺杂浓度为1×1019～5×1019cm‑3，n型SiC衬底样片（7）的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3，n型SiC外延层（6）的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3,且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm‑2的钒离子形成。