| 发明名称 | 氮化物基异质结半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种氮化物基异质结半导体器件及其制造方法。所述氮化物基异质结半导体器件包括：布置在衬底上的氮化镓层；布置在所述氮化镓层上的铝掺杂氮化镓层；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中的肖特基电极；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中的氮化铝镓层；以及布置在所述氮化铝镓层上的欧姆电极。所述第一区域不同于所述第二区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103247695A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201310044202.1 | 申请日期 | 2013.02.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李哉勋;郑在现 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种氮化物基异质结半导体器件，包括：氮化镓层，其布置在衬底上；铝掺杂氮化镓层，其布置在所述氮化镓层上；肖特基电极，其布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中；氮化铝镓层，其布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中，所述第二区域不同于所述第一区域；以及欧姆电极，其布置在所述氮化铝镓层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||