基于半导体开关和铁氧体传输线的IRA超宽带辐射阵列

摘要

本发明提供一种基于半导体开关和铁氧体传输线的IRA超宽带辐射阵列，包括若干组阵列单元，每组阵列单元均由脉冲源、铁氧体传输线和IRA天线构成，脉冲源通过铁氧体传输线与IRA天线连接，脉冲源为以多个射频功率半导体开关为基础构建的i×j级串联-Marx电路，用于输出纳秒级高压脉冲；铁氧体传输线用于将脉冲源输出的纳秒级高压脉冲馈入IRA天线，铁氧体传输线的轴向通有大电流源的偏置磁场。本发明使用半导体开关取代光导开关，脉冲源重复使用且寿命较长；两级磁开关陡化脉冲源输出电压的前沿到亚纳秒等级；各组铁氧体传输线通入不同直流励磁可调电流源实现相应的脉冲源输出脉冲时序的精确调节；铁氧体传输线与IRA天线一体化设计提高辐射阵列的定向性。

主权项

基于半导体开关和铁氧体传输线的IRA超宽带辐射阵列，其特征在于：包括若干组阵列单元，每组阵列单元均由脉冲源、铁氧体传输线和IRA天线构成，所述脉冲源通过铁氧体传输线与IRA天线连接，脉冲源为以多个射频功率半导体开关为基础构建的i×j级串联‑Marx电路，用于输出纳秒级高压脉冲，其中，i、j均为大于或等于1的整数；铁氧体传输线用于将脉冲源输出的纳秒级高压脉冲馈入IRA天线，所述铁氧体传输线的轴向通有大电流源的偏置磁场。