| 发明名称 | 一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法，包括以下步骤：将酸性溶液放入所述钟罩零件的碗型内腔中对其内壁进行浸泡，且该酸性溶液的液面高度为至所述钟罩零件的碗口处，浸泡时间为6小时。本发明粗糙度再生方法不会对钟罩零件产生消耗，大大延长了产品的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN103247551A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201210022555.7 | 申请日期 | 2012.02.01 |
| 申请人 | 上海科秉电子科技有限公司 | 发明人 | 吕永铭 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人 | 倪继祖 |
| 主权项 | 一种用于半导体制程中钟罩零件的粗糙度再生方法，该钟罩零件为碗型结构且具有碗型内腔，其特征在于，包括以下步骤：将酸性溶液放入所述钟罩零件的碗型内腔中对其内壁进行浸泡，且该酸性溶液的液面高度为至所述钟罩零件的碗口处，浸泡时间为6小时。 | ||
| 地址 | 201709 上海市青浦区白鹤镇外青松公路3236号 | ||