| 发明名称 | 使用侧向自旋转移的低噪音磁场传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磁阻传感器，其包括：第一俘获磁化磁层(410)，被称作俘获层；和自由磁化磁层(430)，被称作敏感层，在没有外场的情况下，敏感层的磁化基本上垂直于俘获层的磁化，所述俘获层和敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开。磁阻传感器还包括被称作侧向耦合层的层(440)，其位于敏感层的与隔离层相对的一侧，并能够控制侧向自旋转移。 | ||
| 申请公布号 | CN101688903B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN200880023901.5 | 申请日期 | 2008.07.04 |
| 申请人 | 法国原子能委员会;国立科学研究中心 | 发明人 | 伯纳德·迪耶尼 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/39(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明 |
| 主权项 | 一种磁阻传感器，包括被称作俘获层的第一俘获磁化磁层(410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，在没有外场的情况下，所述敏感层的磁化基本上垂直于俘获层的磁化，所述俘获层和敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开，其特征在于，所述磁阻传感器还包括：被称作侧向耦合层的层(440)，其位于所述敏感层的与所述隔离层相对的一侧上，并适于在保持自旋的同时向所述敏感层反向散射电子；以及使直流电流从所述侧向耦合层流向所述俘获层的装置。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||