一种非带隙电压基准源

摘要

本发明公开了一种非带隙电压基准源。本发明的基准电压源，采用Vtn提取电路和Vtp提取电路分别提取正比于Vtn的电流和正比于Vtp的电流，通过两股电流在电流模基准电路上进行线性叠加，实现了Vtn和Vtp的相互补偿，进而产生零温度系数的基准电压。本发明利用PMOS和NMOS阈值电压的线性化，得到零温度系数的电压基准，使得基准电压源克服了传统基准源中VBE非线性温度的影响。

主权项

一种非带隙电压基准源，其特征在于，包括第一启动电路、第二启动电路、Vtn提取电路、Vtp提取电路和电流模基准电路，其中，所述的第一启动电路用于使Vtp提取电路正常工作，所述的第二启动电路用于使Vtn提取电路正常工作，所述Vtn提取电路用于提取正比于Vtn的电流，所述Vtp提取电路用于提取正比于Vtp的电流，所述电流模基准电路用于镜像正比于Vtn和Vtp的电流，产生基准电压，其中，所述Vtn为NMOS管的阈值电压，所述Vtp为PMOS管的阈值电压；所述Vtn提取电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第二电阻；其中，第一PMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极相连，第一PMOS管的源极与第三PMOS管的源极接电源电压，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极相连，第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连，第三PMOS管的栅极与漏极连接；第二PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，并且第四PMOS管的栅极与漏极相连；第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，第四PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连，第三NMOS管的源极与第二电阻的一端相连，而第二电阻的另一端和第二NMOS管的源极接地，并且第一NMOS管的栅极与漏极连接，第二NMOS管的栅极与漏极连接，第三NMOS管的源极为输出端，第三NMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极相连；所述的Vtp提取电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第一电阻；其中，第五PMOS管的源极和第一电阻的一端接电源电压，第五PMOS管的漏极与第七PMOS管的源极相连，第六PMOS管的源极与第一电阻的另一端相连，第六PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极相连，第六PMOS管的栅极与第七PMOS管的栅极相连，第七PMOS管的漏极与第六NMOS管的漏极相连，并且第五PMOS管的栅极与漏极相连，第七PMOS管的栅极与漏极相连；第四NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极相连，第六NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极相连，第四NMOS管的栅极与第六NMOS管的栅极相连，第五NMOS管的源极与第七NMOS管的源极接地，二者的栅极相连，同时第四NMOS管的栅极与漏极相连，第五NMOS管的栅极与漏极相连。