发明名称 |
半导体激光器的温度分级筛选的平台及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体激光器的温度分级筛选的平台及方法,所述平台包括微处理器、可编程电流源芯片、温箱和位于温箱内半导体激光器,所述半导体激光器自带光电二极管,且光电二极管阳极和半导体激光器负极间还串联一接地的电阻,其中微处理器通过总线与可编程电流源芯片相连,光电二极管的阴、阳级分别接可编程电流源芯片的I/O口和微处理器的模数转换器。所述方法为利用光电二极管和半导体激光器的关系,通过测试光电二极管的参数,从而达到筛选半导体激光器的目的。本发明能在形成光模块前大批量进行分级筛选、筛选方法简单、成本低廉,无需大量专业的光学仪器及电子测试仪器支持,易于推广。 |
申请公布号 |
CN102353517B |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201110180574.8 |
申请日期 |
2011.06.30 |
申请人 |
成都优博创技术有限公司 |
发明人 |
余涛 |
分类号 |
G01M11/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01M11/00(2006.01)I |
代理机构 |
泰和泰律师事务所 51219 |
代理人 |
曾祥坤;杨栩 |
主权项 |
一种半导体激光器的温度分级筛选的方法,其特征在于:包括以下步骤;(1)选择待测半导体激光器,定义其光电二极管的响应光电流;(2)设置温箱温度为25℃,测试该条件下光电二极管的阈值电流和响应光电流,并计算数值M,所述M为响应光电流与加载电流的比值;(3)设置温箱温度为筛选温度,测试该条件下光电二极管其阈值电流和响应光电流,并计算数值M;(4)对比步骤(2)(3)中的阈值电流和M,计算半导体激光器的发光效率下降率;(5)预设筛选温度下的阈值电流上限和发光效率下降率下限,对比测试的光电二极管,筛选出不符合条件的半导体激光器。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区世纪城南路216号7栋101、201 |