发明名称 半导体激光器的温度分级筛选的平台及方法
摘要 本发明公开了一种半导体激光器的温度分级筛选的平台及方法,所述平台包括微处理器、可编程电流源芯片、温箱和位于温箱内半导体激光器,所述半导体激光器自带光电二极管,且光电二极管阳极和半导体激光器负极间还串联一接地的电阻,其中微处理器通过总线与可编程电流源芯片相连,光电二极管的阴、阳级分别接可编程电流源芯片的I/O口和微处理器的模数转换器。所述方法为利用光电二极管和半导体激光器的关系,通过测试光电二极管的参数,从而达到筛选半导体激光器的目的。本发明能在形成光模块前大批量进行分级筛选、筛选方法简单、成本低廉,无需大量专业的光学仪器及电子测试仪器支持,易于推广。
申请公布号 CN102353517B 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201110180574.8 申请日期 2011.06.30
申请人 成都优博创技术有限公司 发明人 余涛
分类号 G01M11/00(2006.01)I 主分类号 G01M11/00(2006.01)I
代理机构 泰和泰律师事务所 51219 代理人 曾祥坤;杨栩
主权项 一种半导体激光器的温度分级筛选的方法,其特征在于:包括以下步骤;(1)选择待测半导体激光器,定义其光电二极管的响应光电流;(2)设置温箱温度为25℃,测试该条件下光电二极管的阈值电流和响应光电流,并计算数值M,所述M为响应光电流与加载电流的比值;(3)设置温箱温度为筛选温度,测试该条件下光电二极管其阈值电流和响应光电流,并计算数值M;(4)对比步骤(2)(3)中的阈值电流和M,计算半导体激光器的发光效率下降率;(5)预设筛选温度下的阈值电流上限和发光效率下降率下限,对比测试的光电二极管,筛选出不符合条件的半导体激光器。
地址 610041 四川省成都市高新区世纪城南路216号7栋101、201