发明名称 Method and system for split threshold voltage programmable bitcells
摘要 A memory device includes an antifuse. The antifuse is configured to program a bit cell of the memory device. The antifuse is configured with a PMOS device.
申请公布号 US8509023(B2) 申请公布日期 2013.08.13
申请号 US201213446584 申请日期 2012.04.13
申请人 SCHMITT JONATHAN;BROADCOM CORPORATION 发明人 SCHMITT JONATHAN
分类号 G11C17/16 主分类号 G11C17/16
代理机构 代理人
主权项
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