发明名称 面射型雷射、面射型雷射阵列、光学扫描装置以及影像形成设备
摘要 所揭示的面射型雷射包括:一基板;和多个半导体层,堆叠在该基板上。该基板之一主平面的一法线相对于晶体定向<100>的其中之一而朝晶体定向<111>的其中之一倾斜。该半导体层包括:一谐振器结构,包括一主动层;及一半导体多层镜,堆叠在该谐振器结构上。该半导体多层镜包括一限制结构,其中一电流通过区系由至少包括一氧化物的一氧化区所包围,该氧化区系藉由将含铝之一选择性氧化层的一部分氧化所产生。藉由该氧化所产生的一应变场至少存在于该氧化区附近的一部分中。在该应变场中,一第一轴方向中的应变量不同于一第二轴方向中的应变量。
申请公布号 TWI405378 申请公布日期 2013.08.11
申请号 TW098115879 申请日期 2009.05.13
申请人 理光股份有限公司 日本 发明人 石井稔浩;牧田宪吾;轴谷直人;原坂和宏;佐藤俊一;菅原悟
分类号 H01S5/183 主分类号 H01S5/183
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本