电浆蚀刻处理方法及电浆蚀刻处理装置

摘要

本发明系提供一种于电浆蚀刻处理时，可容易且适当地进行形状控制的电浆蚀刻处理方法，其包含有：将半导体基板W保持于处理容器12内所设置之持定台14上的步骤；产生激发电浆用之微波的步骤；使介电板16与持定台14之间隔达100mm以上，且处理容器12内之压力达50mTorr以上，通过介电板16而将微波导入至处理容器12内，并于处理容器12内产生电浆的电浆产生步骤；以及，供给电浆蚀刻处理用之反应气体至处理容器12内，以藉由所产生之电浆对该半导体基板W进行电浆蚀刻处理的处理步骤。