发明名称 保持治具,半导体晶圆之研削方法,半导体晶圆的保护构造,及使用此构造之半导体晶圆之研削方法以及半导体晶片之制造方法
摘要 本发明之课题;提供一种可随着使用保护薄片而解决问题的保持治具,半导体晶圆之研削方法,半导体晶圆的保护构造,及使用此构造之半导体晶圆之研削方法以及半导体晶片之制造方法。;本发明之解决手段;将半导体晶圆W之背面研磨装置10,由:设置于架台11之作业面的桌台13,和经由吸盘桌台15装载于桌台13的复数保持治具20,和将保持于保持治具20之半导体晶圆W之背面做研削处理的研削装置30,和研削后之半导体晶圆W的洗净装置40,来构成。而将各保持治具20,由:在基板21表面凹陷形成的凹穴22,和配列于凹穴22底面而突出设置的复数支撑突起23,和覆盖凹穴22并被复数支撑突起23支撑,可自由装卸且密合保持半导体晶圆W之可变形的密合薄膜24,和将被密合薄膜24覆盖之凹穴22内空气导向外部的排气路径25,所构成。
申请公布号 TWI405293 申请公布日期 2013.08.11
申请号 TW096108770 申请日期 2007.03.14
申请人 信越聚合物股份有限公司 日本;琳得科股份有限公司 日本 发明人 田中清文;小田嶋智;细野则义;藤本泰史;濑川丈士
分类号 H01L21/683;H01L21/304 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本