发明名称 金属氧化物膜之形成
摘要 本发明提供一种用于形成金属氧化物膜之膜形成方法,其包括:将目标物件载至一经架构以使其中维持真空之制程容器内;将膜形成源材料供应至该制程容器内;将氧化剂供应至该制程容器内;及使该膜形成源材料与该氧化剂相互反应,藉此在该目标物件上形成一金属氧化物膜。该膜形成源材料为有机金属化合物,该有机金属化合物含有该金属氧化物膜之金属且藉由将在室温下为固体且具有一较高蒸气压之第一有机金属化合物与在室温下为液体之第二有机金属化合物混合使得该有机金属化合物在室温下为液体而制备。
申请公布号 TWI405264 申请公布日期 2013.08.11
申请号 TW097107561 申请日期 2008.03.04
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 古屋治彦
分类号 H01L21/316 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本