发明名称 具有沟渠结构的半导体元件与方法
摘要 在一实施例中,在一基板中形成一对侧壁钝化沟渠接点,以提供与一表面下特征(sub-surface feature)之电接触。在该对侧壁钝化沟渠接点之间扩散一掺杂区域,以提供低电阻接触。
申请公布号 TWI405299 申请公布日期 2013.08.11
申请号 TW095113966 申请日期 2006.04.19
申请人 半导体组件工业公司 美国 发明人 高登M 葛福那;彼得J 德贝尔
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国