发明名称 介电膜处理方法
摘要 在蚀刻操作后清洁基板表面之方法及系统包括判定出与基板表面有关之复数之处理参数。处理参数定义与基板表面相关之特性,如欲清洁基板表面的特性、欲移除之污染物、形成在基板上之特征部及制造操作中所使用之化学物质。基于处理参数,确认出复数之施加化学品。复数之施加化学品包括作为乳化剂的第一施加化学品,该乳化剂具有第一不溶混液体与第二不溶混液体之结合及分布于第一不溶混液体中的固体分子。包括第一施加化学品的复数之施加化学品施加至基板表面,以藉由从基板表面实质移除颗粒与聚合物残留污染物,并保存特征部的特性及具有特征部穿过而形成之低k介电材料的特性,使所结合之化学品加强清洁处理。
申请公布号 TWI405252 申请公布日期 2013.08.11
申请号 TW098108248 申请日期 2009.03.13
申请人 兰姆研究公司 美国 发明人 允锡民;朱济;德赖瑞厄斯 约翰M;威尔克逊 马克
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路37号10楼
主权项
地址 美国