发明名称 |
发光二极体晶片及其制作方法 |
摘要 |
一种发光二极体晶片的制造方法如下所述。首先,提供一成长基板,成长基板具有相对的一第一表面与一第二表面。接着,于第一表面上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。然后,于第二型掺杂半导体层上形成一导电反射层。之后,将第二型掺杂半导体层接合至一导电基板。接着,薄化与图案化成长基板,以于成长基板的第二表面上形成一凹槽图案并使成长基板暴露出部分的第一型掺杂半导体层。然后,于第一型掺杂半导体层上形成一第一电极。之后,于导电基板上形成一第二电极。 |
申请公布号 |
TWI405358 |
申请公布日期 |
2013.08.11 |
申请号 |
TW099107619 |
申请日期 |
2010.03.16 |
申请人 |
津涌科技股份有限公司 台南市安平区平通路365巷36号 |
发明人 |
许进恭;赖韦志;许世昌 |
分类号 |
H01L33/10 |
主分类号 |
H01L33/10 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
台南市安平区平通路365巷36号 |