半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件

摘要

本发明提出一种半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件。该半导体元件杂质浓度分布控制方法包括以下步骤：提供基板；于该基板上，定义掺杂范围，该掺杂范围具有至少第一区域；以一屏蔽图案部分遮蔽该第一区域；以及将杂质掺杂于该掺杂范围内，使得该第一区域内之杂质连成一体，且具有相较于无任何屏蔽图案而直接掺杂时较低的杂质掺杂浓度。