制作具有超级介面之功率半导体元件之方法

摘要

制作具有超级介面之功率半导体元件之方法包含有：提供具有一第一导电类型之一基底；于基底上形成至少一闸极结构与设于闸极结构上之至少一遮罩层；于闸极结构与遮罩层之侧壁上形成一间隙壁，且暴露出部分基底；移除部分暴露出之基底，以形成至少一沟渠；于沟渠中填入一掺质来源层，其中掺质来源层包含有具有一第二导电类型之复数掺质；以及，进行一热驱入制程，将掺质扩散至基底中，以形成具有第二导电类型之一基体掺杂区。