| 摘要 |
1. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапывыращивания светоизлучающего слоя 12 между областью 11 n-типа и областью 13 p-типа и текстурирование поверхности внутри 1000 Å светоизлучающего слоя.2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 является смежным с текстурированной поверхностью.3. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность расположена внутри области 11 n-типа.4. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность содержит элементы, литографически сформированные на слое нитрида элемента III группы так, что элементы имеют в поперечном сечении профиль, напоминающий выступы, разделенные углублениями.5. Способ по п.4, в котором наибольшее горизонтальное расстояние между двумя соседними выступами составляет менее чем 200 нм.6. Способ по п.1, в котором текстурированный слой содержит слой изоляционного материала 15, расположенный внутри полупроводниковой структуры, причем множество отверстий 16 расположено в этом изоляционном материале.7. Способ по п.6, в котором изоляционный материал 15 содержит, по меньшей мере, один нитрид кремния.8. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий 16 составляет менее чем 200 нм.9. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий составляет менее 100 нм.10. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 имеет объемную постоянную aрешетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки a, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и |
