| 摘要 |
<p>L'invention concerne une mémoire volatile (5) comprenant des cellules mémoire volatiles dans lesquelles des opérations d'écriture et de lecture de données sont réalisées. Les cellules mémoire sont disposées en rangées et en colonnes (COL) et sont réparties en premiers groupes (G , G , G ) distincts de cellules mémoire pour chaque colonne. La mémoire comprend, pour chaque colonne, une ligne de bits d'écriture (BLT) dédiée à des opérations d'écriture et connectée à toutes les cellules mémoire de la colonne et des lignes de bits de lecture (RBLT , RBLF , RBLT , RBLF , RBLT , RBLF ) dédiées à des opérations de lecture. Chaque ligne de bits de lecture est connectée à toutes les cellules mémoire de l'un des premiers groupes de cellules mémoire. Chaque cellule mémoire de la colonne est connectée à une seule des lignes de bits de lecture.</p> |
