| 摘要 |
<p>L'invention concerne une mémoire volatile comprenant des cellules mémoire volatiles (20) adaptées pour que des opérations d'écriture et de lecture de données se réalisent. Les cellules mémoire sont disposées en rangées et en colonnes, et, en outre, sont réparties en groupes distincts de cellules mémoire pour chaque rangée. La mémoire comprend un premier circuit (PG0 , PG0 , PG1 , PG1 , WL_MUX) de sélection de cellules mémoire configuré pour effectuer des opérations d'écriture et un deuxième circuit (RPD , RPD ), différent du premier circuit, de sélection de cellules mémoire configuré pour effectuer des opérations de lecture. Le premier circuit est adapté à sélectionner, pour chaque rangée, des cellules mémoire de l'un des groupes de cellules mémoire pour une opération d'écriture. Le deuxième circuit est adapté à sélectionner, pour chaque rangée, des cellules mémoire de l'un des groupes de cellules mémoire pour une opération de lecture.</p> |
