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Die Erfindung offenbart einen Widerstands-Feldeffekttransistor (ReFET) mit einer ultrasteilen Unterschwellenflanke, welcher ein Gebiet einer logischen Feldeffekttransistor-Vorrichtung und eines Schaltkreises in einer ultrahöchstintegrierten CMOS-Schaltung (ULSI) betrifft. Der Widerstands-Feldeffekttransistor umfasst eine Steuer-Gate-Elektrodenschicht, eine dielektrische Gate-Schicht, ein Halbleitersubstrat, einen dotierten Source-Bereich und einen dotierten Drain-Bereich, wobei das Steuer-Gate konfiguriert ist, eine gestapelte Gate-Struktur anzunehmen, bei welcher eine untere Schicht oder eine untere Elektrodenschicht, eine Mittelschicht oder eine Schicht aus einem ohmschen Material und eine obere Schicht oder eine obere Elektrodenschicht der Reihe nach ausgebildet werden. Verglichen mit den vorhandenen Verfahren zum Durchbrechen der herkömmlichen Begrenzung der Unterschwellenflanke weist die Vorrichtung der Erfindung einen höheren Einschaltstrom, eine niedrigere Arbeitsspannung und ein besseres Unterschwellenwert-Merkmal auf.
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